850nm Si PIN modul

Model: GD4213Y / GD4251Y / GD4251Y-A / GD42121Y

Katrangan singkat:

Iku modul photodiode 850nm Si PIN karo sirkuit pra-amplifikasi sing mbisakake sinyal saiki banget kanggo digedhèkaké lan Ngonversi sinyal voltase kanggo entuk proses konversi amplifikasi foton-fotoelektrik-sinyal.

njaluk kutipan Ngundhuh

Parameter teknis

Tag produk

Fitur

Tanggepan kacepetan dhuwur
Sensitivitas dhuwur

Aplikasi

sekring laser

Parameter fotolistrik (@Ta=22±3℃)

Item #	Kategori paket	Diameter permukaan fotosensitif (mm)	Tanggung jawab	Rising wektu (ns)	Range dinamis (dB)	Tegangan operasi (V)	Tegangan swara (mV)	Cathetan
Item #	Kategori paket	Diameter permukaan fotosensitif (mm)	λ=850nm, φ_e= 1μW		λ=850nm	Tegangan operasi (V)	Tegangan swara (mV)	Cathetan
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	± 5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	± 6±0.3	40	(Sudut kedadeyan: 0 °, transmitansi 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	± 6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	± 5±0.1	25
Cathetan: Beban uji GD4213Y yaiku 50Ω, liyane yaiku 1MΩ